RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
62
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
62
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2138
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link