RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
62
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
62
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2138
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link