RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
46
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3049
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link