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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
46
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
23
读取速度,GB/s
2,909.8
17.0
写入速度,GB/s
1,519.2
11.9
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3049
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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