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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
46
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3101
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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