RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3101
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link