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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
2,909.8
16.1
写入速度,GB/s
1,519.2
12.9
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3101
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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