RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
3200
Autour de 6.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
21300
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3686
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link