RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3686
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link