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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
51
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
51
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2687
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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