RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
51
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
51
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2687
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link