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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
51
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
51
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2687
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
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