RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
46
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
3040
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link