RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
46
Autour de -21% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
3200
Autour de 8 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
38
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
25600
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2829
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link