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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
3200
左右 8 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
2,909.8
16.5
写入速度,GB/s
1,519.2
10.9
内存带宽,mbps
3200
25600
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2829
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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