RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,096.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
60
Autour de -253% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
17
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.7
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,096.4
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
3481
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link