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Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
21
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,096.4
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
60
Intorno -253% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
17
Velocità di lettura, GB/s
4,168.7
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,096.4
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
693
3481
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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