Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 21

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,096.4 15.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

17 60

Около -253% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 17
Скорость чтения, Гб/сек

4,168.7 21.0
Скорость записи, Гб/сек

2,096.4 15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 3481

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB

модули RAM