RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
60
Autour de -122% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3129
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link