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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Note globale
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 17.3
    Valeur moyenne dans les tests
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Raisons de considérer
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Signaler un bogue
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.8 left arrow 2,168.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 5300
    Autour de 3.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    60 left arrow 60
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,595.2 left arrow 17.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,168.2 left arrow 8.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    941 left arrow 2129

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