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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Pontuação geral
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    4 left arrow 17.3
    Valor médio nos testes
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Razões a considerar
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Relatar um erro
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.8 left arrow 2,168.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    60 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    4,595.2 left arrow 17.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,168.2 left arrow 8.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    941 left arrow 2129

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM

Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB Comparações de RAM

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