RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
60
Autour de -131% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2579
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link