RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
60
Autour de -82% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2919
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link