RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
60
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2306
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Elpida EBJ10UE8BDS0-AE-F 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link