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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
60
Autour de -122% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
3938
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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