RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
60
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
40
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2254
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link