RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
60
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
2254
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link