RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
47
60
Autour de -28% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
47
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2576
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link