RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
60
Autour de -67% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2792
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link