RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
60
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2792
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link