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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
60
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,168.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2726
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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