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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
1,542.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
68
74
Autour de -9% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
74
68
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
3,237.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
1,542.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
520
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB Comparaison des RAM
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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