RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
比較する
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
総合得点
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
総合得点
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,201.1
1,542.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
68
74
周辺 -9% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
74
68
読み出し速度、GB/s
4,178.4
3,237.8
書き込み速度、GB/秒
2,201.1
1,542.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
6400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
508
520
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAMの比較
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT25664AC800.K16F 2GB RAMの比較
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link