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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
65
Autour de -210% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2801
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
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