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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
13.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
65
Por volta de -210% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
13.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2801
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
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Avexir Technologies Corporation T 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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