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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
65
76
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
76
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2087
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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