RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
76
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2087
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston ACR16D3LU1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link