RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,784.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2757
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link