RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
65
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2757
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link