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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
10.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
65
Intorno -76% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
37
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2757
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
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