RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3336
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link