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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
77
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
35
读取速度,GB/s
3,405.2
16.4
写入速度,GB/s
2,622.0
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3336
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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