RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2898
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link