RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2898
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link