RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3505
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C7 4GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link