RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3505
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link