RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
77
Autour de -120% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2969
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link