RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
77
Autour de -126% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3055
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link