RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
77
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3055
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link