RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2972
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link